一、前言：

半導(dǎo)體器件（如集成電路、二極管、晶體管等）在高溫高濕環(huán)境下，易因封裝吸濕、金屬化層腐蝕、絕緣性能下降、漏電增大等問題引發(fā)性能漂移或失效。為科學(xué)評(píng)估其耐濕熱穩(wěn)定性，適用于塑封及非氣密封裝半導(dǎo)體器件的耐濕熱性能驗(yàn)證、可靠性篩選與壽命評(píng)估。

二、測(cè)試準(zhǔn)備：

1. 測(cè)試設(shè)備

恒溫恒濕試驗(yàn)箱：控溫范圍 - 70℃~150℃，精度 ±1℃；控濕范圍 20%~98% RH，精度 ±3% RH，具備均勻氣流循環(huán)與防結(jié)露設(shè)計(jì)。

2. 樣品要求

選取同一批次、外觀完好、無封裝破損、無氧化的半導(dǎo)體器件，數(shù)量不少于 15 顆（10 顆測(cè)試，5 顆備用）。

測(cè)試前用無水乙醇清潔樣品表面，去除污漬與雜質(zhì)，常溫靜置 30min，完成初始狀態(tài)確認(rèn)。

三、測(cè)試流程：

1. 設(shè)備校準(zhǔn)與參數(shù)設(shè)置

校準(zhǔn)試驗(yàn)箱溫濕度傳感器，確保控溫控濕精度達(dá)標(biāo)。

設(shè)置試驗(yàn)參數(shù)：溫度 85℃±2℃，相對(duì)濕度 85%±5% RH，升溫速率≤3℃/min，加濕平穩(wěn)，避免樣品表面結(jié)露。

設(shè)定測(cè)試時(shí)長(zhǎng) 1000h，中間檢測(cè)節(jié)點(diǎn)為 240h、500h、1000h。

2. 樣品放置

將樣品均勻放置于試驗(yàn)箱夾具，樣品間距≥10mm，確保氣流均勻流通，避免相互遮擋。

連接通電測(cè)試回路（按需設(shè)置偏置電壓，通常為額定電壓 80%），模擬器件工作狀態(tài)；無偏置測(cè)試則僅放置樣品，不通電。

關(guān)閉箱門，檢查密封性能，確認(rèn)無誤后啟動(dòng)試驗(yàn)。

3. 測(cè)試執(zhí)行

階段 1：升溫加濕。以≤3℃/min 速率升溫至 85℃，同步平穩(wěn)加濕至 85% RH，避免溫濕度驟變。

階段 2：恒溫恒濕測(cè)試。維持 85℃/85% RH 環(huán)境，連續(xù)運(yùn)行 1000h，每小時(shí)記錄試驗(yàn)箱溫濕度，確保波動(dòng)在允許范圍內(nèi)。

階段 3：中間檢測(cè)。到達(dá) 240h、500h 時(shí)，暫停試驗(yàn)，緩慢降溫除濕（降溫速率≤1℃/min）至 25℃±2℃、50%±5% RH，靜置 1h 后，取出樣品檢測(cè)外觀與電氣性能，記錄數(shù)據(jù)。

階段 4：測(cè)試結(jié)束。1000h 到達(dá)后，按上述步驟恢復(fù)至常溫常濕，靜置 1~2h，完成終檢測(cè)。

4. 測(cè)試后檢測(cè)

外觀檢測(cè)：再次檢查封裝、引腳，記錄裂紋、起泡、變色、腐蝕、分層等異常。

電氣性能檢測(cè)：重復(fù)初始檢測(cè)項(xiàng)目，測(cè)試關(guān)鍵參數(shù)，與初始值、中間值對(duì)比，判定性能變化。

失效判定：參數(shù)漂移超 ±20%、絕緣電阻下降超一個(gè)數(shù)量級(jí)、漏電流超標(biāo)、外觀明顯缺陷，判定為失效。

三、測(cè)試數(shù)據(jù)記錄示例：